特許
| 技術分野 | 番号 | 名称 | 要約 |
|---|---|---|---|
| SiC 積層欠陥拡張抑制技術 (SF-KHII) (イオン照射) |
特開2024-018648 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | SiC半導体装置の電流印加時における積層欠陥の拡張を抑制する技術 |
| Si ライフタイム制御技術 (イオン照射) |
特許5261324 | 半導体装置とその製造方法 | キャリアのライフタイム制御機能を実現しながらリーク電流を低減することができる半導体装置とその製造方法 |
| Si マスク照射技術 (イオン照射) |
特許6338416 | 半イオン照射方法およびイオン照射に用いる固定装置 | マスクと基板表面との接触を防ぐことのできるイオン照射技術 |
| 特許6732645 | 固定装置およびイオン照射方法 | 半導体基板に対するマスクの位置保持をより確実にするイオン照射のための固定技術 | |
| 特許6914600 | 固定装置およびイオン照射方法 | イオン照射に用いるマスクをウェハに容易に着脱するための固定技術 | |
| 特許6925729 | 半導体装置の製造方法 | 半導体基板の深さ方向に異なる位置に欠陥領域を形成する工程の生産性向上 | |
| 特許7389619 | マスクホルダ、固定装置、イオン照射方法 | メタルマスクを使用するイオン照射におけるウェハの汚染リスクの低減。 | |
| 特開2023-125729 | イオン照射方法 | 半導体基板に対するマスクの位置ずれの抑制。 | |
| Si n層形成技術 (イオン照射) |
特許6143440 | 半導体装置の製造方法及び基板処理システム | ｎ層を形成するための加速器の使用時間を短くする方法 |
| 特許6529914 | 水素プラズマ処理装置および水素プラズマ処理方法 | 製造効率の向上に資する基板搬送構成を有する水素プラズマ処理装置および水素プラズマ処理方法 | |
| Si 抵抗層形成技術 (イオン照射) |
特許6099553 | 半導体装置の製造方法、及び半導体装置 | 高抵抗層を有する半導体装置 |
| 特許6385488 | 半導体装置の製造方法 | 高抵抗層を有する半導体装置 | |
| 特許6425633 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | 半導体基板上に形成されるインダクタ素子の特性を向上させる技術 | |
| 特許6557134 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | 半導体基板に形成される複数の回路領域間のノイズ遮断特性の向上 | |
| 特許7125257 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | 200℃以上の熱処理に耐えうる高抵抗領域を形成する方法 | |
| 特許7094840 | 半導体装置の製造方法 | インダクタ素子の特性を向上させる高抵抗領域を形成する方法 | |
| 特許7169871 | 半導体装置の製造方法 | より好適な高抵抗領域を形成する方法 | |
| 特許7169872 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | より好適な高抵抗領域を形成する方法 | |
| 特開2022-079971 | イオン照射方法およびウェハマスク装置 | ウェハマスクの開口端近傍におけるイオン照射の制御方法 | |
| ゲッタリング (イオン照射) |
特開2021-022730 | 半導体装置の製造方法および半導体基板 | 新たに発見したゲッタリング現象にもとづく半導体装置の製造方法 |
| プロセス (イオン照射) |
特開2024-015678 | 検査方法、検査装置および搬送装置 | 外観検査に要する追加の検査時間を削減する方法、装置 |
| スペクトル測定 (中性子利用) |
特許7132787 | 中性子スペクトル測定装置および中性子スペクトル測定方法 | 中性子スペクトルを簡便に計測する方法 |
| 特許7429124 | 中性子スペクトル測定装置および中性子スペクトル測定方法 | 中性子スペクトルを簡便に計測する方法 | |
| プロファイル測定 (中性子利用) |
特開2023-013653 | 中性子プロファイル測定装置および中性子プロファイル測定方法 | 中性子プロファイルを簡便に測定する方法 |
| 滅菌 (電子線照射) |
特許5543737 | ポピドンヨード製剤及びその製造方法 | 照射滅菌によるポビドンヨードの有効ヨウ素の減衰を抑制すると共に、適切な有効ヨウ素の範囲に容易に設定し得るポビドンヨード製剤及びその製造方法 |
| 超音波探傷検査 (検査診断) |
特許5325394 | 軸部材の超音波探傷方法、超音波探傷装置および超音波探傷システム | 軸部材の超音波探傷方法および装置 |
| 特許6014525 | 超音波探傷の探触子および超音波探傷方法 | 円柱状試験体であっても試験体内部に超音波を収束させることができる超音波探傷の探触子 | |
| 3Dレーザー計測 (検査診断) |
特許6482435 | 容器内検査方法および容器内検査システム | 容器内壁の全面にわたる検査を短時間かつ高精度で実現 |
| 特許7129243 | 計測方法 | 対象物の厚みを短時間かつ高精度で計測方法 |
特許：5325394
軸部材の超音波探傷方法、超音波探傷装置および超音波探傷システム
減速機等の軸類を、端面から検査する手法の開発を行いました。
産業設備に多く使用される減速機は、大きく分けると軸とギア、及びそれを収納するケースで構成されていますが、その中でも軸の折損は重大な災害に直結します。
そのため、定期的にケースを分解して内部をチェックしたり、軸の端面から超音波探傷を行ったりしてきましたが、前者には多くの時間と費用が必要で、後者ではギアや段つきなどによる妨害エコーで評価困難な場合が多いものでありました。
当社では、これらの問題を最小限に抑えたいという顧客様のご要望に応えるために、この開発を行ったものです。
研究・開発の結果
フェイズドアレイ法を適用したことで、軸端のカバーを開放するだけで高品質の検査が可能となり、顧客様負担を軽減しています。
