イオンビーム利用サービス

加速器利用技術

サービス内容

  • 半導体ウエハへのイオン照射(IIS)
  • 薄層放射化磨耗測定(RTM)
  • 中性子ラジオグラフィ撮影(NRT)
  • 荷電粒子放射化分析(CPAA)

サイクロトロン仕様住友重機械工業(株)製 MODEL-370V型

加速器イオン 加速エネルギー(MeV) 最大電流値(μA)
Proton(1H+) 2 , 4.2 , 8 , 18 50
Deuteron(2H+) 10 40
Helium-3(3He2+) 24 10
Helium-4(4He2+) 18 5

バンデグラフ仕様High-Voltage Engineering製 AN-2500

加速器イオン 加速エネルギー(MeV) 最大電流値(μA)
Proton(1H+) 0.5-2.4 40
Helium-3(3He+) 0.5-2.4 10
Helium-4(4He+) 0.5-2.4 20

IIS 半導体ウエハへのイオン照射

サイリスタ、ダイオード、パワートランジスタなどのウエハにイオン照射を行い、局所的に欠陥層やドナー層を生成することによって電気特性を向上させます。

ウエハ自動搬送装置

ダイオードのリカバリー波形比較イメージ

適用例ライフタイムコントロール
パワー半導体内部に水素やヘリウムのイオンを照射することで、半導体中のキャリアを消失させる効果のある格子欠陥を生成。その結果、スイッチングスピードを高速化させるタイムコントロールが行え、かつリカバリー時のノイズの低減も可能になります。
適用例水素イオン注入によるn層形成
数MeVに加速された水素イオンを注入後に熱処理することで、局所的に濃度の高いn層を形成できます。薄型化が進むパワー半導体の短絡耐量改善やリカバリー波形のソフト化に有効です。

NRT 中性子ラジオグラフィ撮影

X線やガンマ線の代わりに中性子線を用いた放射線透過試験法で、X線撮影では困難な、樹脂や火薬の充填状況の確認等が可能です。

左:X線撮影 右:中性子撮影

CPAA 荷電粒子放射化分析

分析対象の元素を放射化し、その時に生成した放射性同位元素をトレースすることにより、ホウ素、炭素、窒素、酸素などの軽元素の微量分析を行います。

CPAA用放射化装置