イオンビーム利用サービス

加速器利用技術

サービス内容

  • 半導体ウエハへのイオン照射(IIS)
  • 薄層放射化磨耗測定(RTM)
  • 中性子ラジオグラフィ撮影(NRT)
  • 荷電粒子放射化分析(CPAA)

サイクロトロン仕様住友重機械工業(株)製 CYPRIS-370V型

呼称 エネルギー(MeV) Si中飛程値(㎛) Si中半値幅(㎛)
Proton 2 44 3
4 163 8
8 472 22
Helium-3 23 351 8
Helium-4 3 13 1
17 165 4

バンデグラフ仕様High-Voltage Engineering製 AN-2500

呼称 エネルギー(MeV) Si中飛程値(㎛) Si中半値幅(㎛)
Proton 0.25-2.30 2-60 0.3-3.0
※上記の数値は一例であり、出来栄えを保証するものではありません。

IIS 半導体ウエハへのイオン照射

サイリスタ、ダイオード、パワートランジスタなどのウエハにイオン照射を行い、局所的に欠陥層やドナー層を生成することによって電気特性を向上させます。

ウエハ自動搬送装置

ダイオードのリカバリー波形比較イメージ

適用例ライフタイムコントロール
パワー半導体内部に水素やヘリウムのイオンを照射することで、半導体中のキャリアを消失させる効果のある格子欠陥を生成。その結果、スイッチングスピードを高速化させるタイムコントロールが行え、かつリカバリー時のノイズの低減も可能になります。
適用例水素イオン注入によるn層形成
数MeVに加速された水素イオンを注入後に熱処理することで、局所的に濃度の高いn層を形成できます。薄型化が進むパワー半導体の短絡耐量改善やリカバリー波形のソフト化に有効です。

NRT 中性子ラジオグラフィ撮影

X線やガンマ線の代わりに中性子線を用いた放射線透過試験法で、X線撮影では困難な、樹脂や火薬の充填状況の確認等が可能です。

左:X線撮影 右:中性子撮影

CPAA 荷電粒子放射化分析

分析対象の元素を放射化し、その時に生成した放射性同位元素をトレースすることにより、ホウ素、炭素、窒素、酸素などの軽元素の微量分析を行います。

CPAA用放射化装置